溫、濕、振動(dòng)三綜合試驗機
- 更新時(shí)間：2025-12-11
溫、濕、振動(dòng)三綜合試驗機適用于航天產(chǎn)品、信息電子儀器儀表、材料、電工、電子產(chǎn)品、各種電子元氣件在溫度、濕度、振動(dòng)、環(huán)境下、檢驗其各性能項指標。
| 品牌 | 艾思荔/Asli |
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溫、濕、振動(dòng)三綜合試驗機 三綜合振動(dòng)試驗箱
溫濕度振動(dòng)三綜合試驗機 技術(shù)參數：
★溫度范圍：－20℃～130℃
★濕度范圍： 40%～98%RH
★溫度均勻度： ±2℃（空載時(shí)）
★溫度波動(dòng)度： ±0.5℃（空載時(shí)）
★濕度波動(dòng)度： ±2%
★溫度偏差： ≤±2℃
★濕度偏差： ≤±2%
★升溫時(shí)間： －20℃～120℃≤1小時(shí)
★降溫時(shí)間： 室溫降到－20℃≤45分鐘（空載時(shí)）
★時(shí)間設定范圍： 0～999小時(shí)
★正弦波： 2.94kN（300kgf）
★頻率范圍： 5-2000HZ
★大加速度：980m/s²（100g）
★大速度：1.1m/s
★大移位：25mmp-p
★運動(dòng)部件有效質(zhì)量：2.7kg
★大載荷：120 kg
★臺面尺寸：ø 150mm
★振動(dòng)方向：上下垂直
溫、濕、振動(dòng)三綜合試驗機 制冷系統：
★溫濕度振動(dòng)三綜合試驗機制冷機采用法國原裝“泰康”全封閉壓縮機；
★冷凍系統采用單元或二元式低溫回路系統設計；
★美國“艾高”干燥過(guò)濾器，“冠亞”油分離器，意大利“卡士妥”電磁閥；
★采用多翼式送風(fēng)機強力送風(fēng)循環(huán)，避免任何死角，可使測試區域內溫濕度分布均勻；
★風(fēng)路循環(huán)出風(fēng)回風(fēng)設計，風(fēng)壓風(fēng)速均符合測試標準，并可使開(kāi)門(mén)瞬間溫濕度回穩時(shí)間快；
★升溫、降溫、加濕系統*獨立可提高效率，降低測試成本，增長(cháng)壽命，減低故障率。
溫濕度振動(dòng)三綜合試驗機 箱體結構：
★溫濕度振動(dòng)三綜合試驗機主體部分：主體外殼采用A3鋼板并且經(jīng)過(guò)噴塑處理，內膽采用SUS不銹鋼鏡面板保溫介質(zhì)為超細玻璃棉；
★循環(huán)方式：部離心風(fēng)葉送風(fēng)，底部回風(fēng)；
★門(mén)與箱體之間采用雙層耐高溫之高張性密封條以確保測試區的密閉；
★采用無(wú)反作用門(mén)把手，操作更容易；
★機器底部采用可固定式PU活動(dòng)輪；
★觀(guān)察窗采用多層中空鋼化玻璃,內側膠合片式導電膜（可清楚觀(guān)察試驗過(guò)程）；
★引線(xiàn)孔（機器左側）可外接測試電源線(xiàn)或信號線(xiàn)使用（直徑50mm）；
★工作室下方裝有可供振動(dòng)臺體移出移進(jìn)的導軌（在不進(jìn)行振動(dòng)試驗時(shí)移出振動(dòng)臺體）；
★振動(dòng)臺面與工作室低部連接密封采用多層環(huán)氧樹(shù)脂與耐高溫硅橡膠相間式接插連接（以便密封）；
★加熱系統選用翅片式不銹鋼加熱器，加熱芯為遠紅外鎳絡(luò )合金絲；
★兩套系統分別獨立控制，相互不干擾；
★送風(fēng)循環(huán)系統祥明電機（低噪音）,多翼式離心風(fēng)輪,單循環(huán)。
三綜合振動(dòng)試驗機 控制系統：
★智能型雙路高精度數顯PID微電腦控制儀表（可直接顯示濕度的百分數值，不用溫濕度轉換對照）
★薄膜式 KEY BOARD
★具有斷電記憶功能，復電時(shí)可繼續剩余之試驗過(guò)程
★溫度控制均采用P•I•D ＋S•S•R，系統同頻道協(xié)調控制，可提高控制元件與界面使用之穩定性及壽命
★觸控式設定、數位及直接顯示
★具有PID自動(dòng)演算之功能，可減少人為設定時(shí)帶來(lái)之不便
★在運轉或設定中，如發(fā)生錯誤時(shí)，會(huì )提供警示迅號
★停電記錄保持裝置五年
★法國“施耐德”元器件
東莞艾思荔除了可仿真產(chǎn)品在一般氣候環(huán)境溫濕組合條件下（高低溫操作&儲存、溫度循環(huán)、高溫高濕、結露試驗、振動(dòng)機,振動(dòng)臺,振動(dòng)試驗機,振動(dòng)試驗臺,電磁振動(dòng)試驗機,機械振動(dòng)試驗機,高頻振動(dòng)試驗機）等，去檢測產(chǎn)品本身的適應能力與特性是否改變，以及針對產(chǎn)品在（低溫低濕、高溫低濕、高溫高濕降到低溫低濕..等）環(huán)境下是否會(huì )發(fā)生龜裂、破損，另外在低濕環(huán)境中的空氣靜電量是一般環(huán)境的30倍以上，據統計，半導體破壞率：59%是由靜電所引起的.asli163.。
