半導體激光器又稱(chēng)為激光二極管（LD，Laser Diode），是采用半導體材料作為工作物質(zhì)而產(chǎn)生受激發(fā)射的一類(lèi)激光器。常用材料有砷化鎵（GaAs）、硫化鎘（CdS）、磷化銦（InP）、硫化鋅（ZnS）。激勵方式有電注入、電子束激勵和光泵浦激勵三種形式。半導體激光器件，一般可分為同質(zhì)結、單異質(zhì)結、雙異質(zhì)結。同質(zhì)結激光器和單異質(zhì)結激光器室溫時(shí)多為脈沖器件，而雙異質(zhì)結激光器室溫時(shí)可實(shí)現連續工作。半導體激光器的優(yōu)點(diǎn)在于體積小、重量輕、運轉可靠、能耗低、效率高、壽命長(cháng)、高速調制，因此半導體激光器在激光通信、光存儲、光陀螺、激光打印、激光醫療、激光測距、激光雷達、自動(dòng)控制、檢測儀器等領(lǐng)域得到了廣泛的應用。

　半導體光電器件的工作波長(cháng)與半導體材料的種類(lèi)有關(guān)。半導體材料中存在著(zhù)導帶和價(jià)帶，導帶上面可以讓電子自由運動(dòng)，而價(jià)帶下面可以讓空穴自由運動(dòng)，導帶和價(jià)帶之間隔著(zhù)一條禁帶，當電子吸收了光的能量從價(jià)帶跳躍到導帶中去時(shí)就把光的能量變成了電，而帶有電能的電子從導帶跳回價(jià)帶，又可以把電的能量變成光，這時(shí)材料禁帶的寬度就決定了光電器件的工作波長(cháng)。

半導體激光器工作原理是：通過(guò)一定的激勵方式，在半導體物質(zhì)的能帶（導帶與價(jià)帶）之間，或者半導體物質(zhì)的能帶與雜質(zhì)（受主或施主）能級之間，實(shí)現非平衡載流子的粒子數反轉，當處于粒子數反轉狀態(tài)的大量電子與空穴復合時(shí)便產(chǎn)生受激發(fā)射作用。半導體激光器的激勵方式主要有三種：電注入式、電子束激勵式和光泵浦激勵式。電注入式半導體激光器一般是由GaAS（砷化鎵）、InAS（砷化銦）、Insb（銻化銦）等材料制成的半導體面結型二極管，沿正向偏壓注入電流進(jìn)行激勵，在結平面區域產(chǎn)生受激發(fā)射。電子束激勵式半導體激光器一般用N型或者P型半導體單晶（PbS、CdS、ZhO等）作為工作物質(zhì)，通過(guò)由外部注入高能電子束進(jìn)行激勵。光泵浦激勵式半導體激光器一般用N型或P型半導體單晶（GaAS、InAs、InSb等）作為工作物質(zhì)，以其它激光器發(fā)出的激光作光泵激勵。

　　目前在半導體激光器件中，性能較好、應用較廣的是：具有雙異質(zhì)結構的電注入式GaAs二極管半導體激光器。

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